Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ZDS020N60TB
MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ZDS020N60TB
ZDS020N60TB Hakkında
ZDS020N60TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 630mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOP yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 5Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 2W güç tüketebilir. Düşük gate charge (20nC @ 10V) ve Input capacitance (310pF @ 10V) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, endüstriyel kontrol ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok