Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
YJQ4666B-F1-1100HF
P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C-
- Üretici
- YANGJIE
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- YJQ4666B
YJQ4666B-F1-1100HF Hakkında
YJQ4666B-F1-1100HF, YANGJIE tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı (Id) ile çalışan bu bileşen, 36.5mOhm maksimum on-resistance değerine sahiptir. 6-UDFN (2x2mm) SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 40.1nC ve input kapasitans 852pF olarak belirtilmiştir. Düşük RDS(on) değeri sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 852 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36.5mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-DFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok