Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
YJG60G10A-F1-0100HF
N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L
- Üretici
- YANGJIE
- Paket/Kılıf
- 8-PowerLDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- YJG60G10A
YJG60G10A-F1-0100HF Hakkında
YJG60G10A-F1-0100HF, YANGJIE tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ve 60A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 8.6mOhm (10V, 20A) maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. PDFN5060-8L (5x6mm) yüzey montaj paketi, kompakt tasarımların gerçekleştirilmesine olanak tanır. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2431 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PDFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok