Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
YJD80G06A-F1-0000
N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
- Üretici
- YANGJIE
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- YJD80G06A
YJD80G06A-F1-0000 Hakkında
YJD80G06A-F1-0000, YANGJIE tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajına ve 80A sürekli drenaj akımına dayanıklıdır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerinde kullanılır. 8mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 85W güç dağıtımına dayanır. 10V gate voltajda 31nC gate charge değerine sahip olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok