Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XPW6R30ANB,L1XHQ
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XPW6R30ANB
XPW6R30ANB,L1XHQ Hakkında
Toshiba XPW6R30ANB, 100V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 45A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 6.3mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük geçiş kaybı sağlar. Gate charge 52nC ve input capacitance 3240pF özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulanabilirlik alanına sahiptir. Endüstriyel, otomotiv ve güç yönetimi devrelerinde anahtarlama elemanı olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 132W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DSOP Advance |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok