Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XPW4R10ANB,L1XHQ
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XPW4R10ANB
XPW4R10ANB,L1XHQ Hakkında
Toshiba XPW4R10ANB, 100V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 70A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 4.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunmaktadır. AEC-Q101 standartlarına uygun olarak otomotiv uygulamalarında kullanıma uygundur. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Surface mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu MOSFET, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, güç anahtarlama devreleri ve otomotiv elektronik sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 170W maksimum güç tüketim kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4970 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DSOP Advance |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok