Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XPN9R614MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XPN9R614MC
XPN9R614MC,L1XHQ Hakkında
Toshiba XPN9R614MC, P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-TSON (PowerVDFN) paketinde sunulan bu bileşen, 9.6mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 64nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri vardır. 175°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlı güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 840mW (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok