Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XPN7R104NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XPN7R104NC
XPN7R104NC,L1XHQ Hakkında
Toshiba tarafından üretilen XPN7R104NC, 40V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8-TSON (8-PowerVDFN) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (7.1mΩ @ 10A, 10V) sayesinde güç elektronik uygulamalarında ısıl kayıpları minimize etmek için tasarlanmıştır. ±20V maksimum kapı gerilimi ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda kullanılabilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak yer alır. Düşük Gate Charge (21nC @ 10V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 840mW (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok