Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XPN6R706NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XPN6R706NC
XPN6R706NC,L1XHQ Hakkında
Toshiba XPN6R706NC, 60V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında tercih edilir. 6.7mΩ (10V, 20A) maksimum RDS(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (TSON) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında güvenli çalışır, 175°C maksimum işletme sıcaklığına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 840mW (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok