Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XPN12006NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XPN12006NC
XPN12006NC,L1XHQ Hakkında
Toshiba XPN12006NC, 60V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20A sürekli dren akımı kapasitesi ve 12mΩ maksimum on-direnç değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 8-TSON (3.1x3.1mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 23nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve elektronik anahtar uygulamalarında kullanılır. Maksimum 65W güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 0.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok