Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

XPH6R30ANB,L1XHQ

MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
XPH6R30ANB

XPH6R30ANB,L1XHQ Hakkında

Toshiba XPH6R30ANB, 100V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 45A sürekli drain akımı kapasitesi ve 6.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 8-SOP Advance (5x5) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum kapı gerilimi, 175°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklılık ve 52nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. 960mW (Ta) maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda enerji verimliliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok