Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XPH4R10ANB,L1XHQ
MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XPH4R10ANB
XPH4R10ANB,L1XHQ Hakkında
Toshiba XPH4R10ANB, 100V dren-kaynak gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 70A sürekli dren akımı kapasitesi ve 4.1mΩ RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük iletim kayıpları sağlar. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3.5V gate-kaynak eşik gerilimi ile uygun sürücü devresi tasarımı sağlanabilir. 75nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. -175°C maksimum çalışma sıcaklığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4970 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok