Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

XPH2R106NC,L1XHQ

MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
XPH2R106NC

XPH2R106NC,L1XHQ Hakkında

Toshiba XPH2R106NC, 60V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 110A sürekli drain akımı kapasitesi ve 2.1mΩ on-resistance değerleri ile güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOP Advance (5x5mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç kaynakları, LED kontrol devreleri ve endüstriyel invertör uygulamalarında tercih edilir. 175°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir ve 170W termal yayılım kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (104nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok