Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XP263N1001TR-G
MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
- Üretici
- Torex Semiconductor Ltd.
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XP263N1001TR
XP263N1001TR-G Hakkında
XP263N1001TR-G, Torex Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile karakterize edilen bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. SOT-23 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 250mOhm (10V, 500mA) düşük on-direnci ve 3.6nC gate yükü ile verimli çalışma sağlar. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışan cihaz, 150°C maksimum junction sıcaklığında 400mW güç tüketimi özellikleriyle mobil cihazlar, IoT uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok