Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

XP234N0801TR-G

MOSFET N-CH 30V 800MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
XP234N0801TR

XP234N0801TR-G Hakkında

Torex Semiconductor tarafından üretilen XP234N0801TR-G, 30V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistörüdür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 290mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 1.32nC maksimum gate charge ve 64pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özelliği taşır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 400mW güç tüketim kapasitesi ile mobil cihazlar, IoT uygulamaları, LED sürücüleri, güç yönetimi ve küçük sinyal anahtarlama devrelerinde kullanılmaya uygundur. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 64 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok