Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

XP151A11B0MR-G

MOSFET N-CH 30V 1A SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
XP151A11B0MR

XP151A11B0MR-G Hakkında

XP151A11B0MR-G, Torex Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 1A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate voltajında 120mOhm'luk düşük on-direnç (Rds On) ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilen geniş sıcaklık aralığında kullanılır. 500mW güç tüketim kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında, lojik seviyeleri kontrol etmede ve dijital devrelerde sürücü işlevi görmektedir. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol voltaj aralığını destekler. Kompakt boyutu ve sağlam yapısı sayesinde taşınabilir elektronik cihazlarda ve IoT uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok