Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
XK1R9F10QB,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- XK1R9F10QB
XK1R9F10QB,LXGQ Hakkında
Toshiba tarafından üretilen XK1R9F10QB,LXGQ, 100V drain-source gerilimi ve 160A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.92mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 184nC gate charge ve 11500pF input capacitance özellikleri ile hızlı geçiş sürelerine ve verimli çalışmaya olanak tanır. ±20V gate-source gerilim aralığında güvenli çalışabilen transistör, 175°C'ye kadar işletim sıcaklığında stabildir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücüler, şarj devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 184 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.92mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok