Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
WPB4001-1E
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P-3L
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WPB4001
WPB4001-1E Hakkında
WPB4001-1E, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürüş geriliminde 260mΩ maximum on-resistance değerine sahip olup, 150°C maksimum işletme sıcaklığında 220W ısı yayma kapasitesi sunar. TO-3P-3 paketinde gelen bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2250pF input kapasitansı ve 87nC gate yükü karakteristikleri hızlı komütasyon gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 220W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P-3L |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok