Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VP3203N3-G

MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
VP3203N3

VP3203N3-G Hakkında

VP3203N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum drain akımı 650mA, drain-source gerilimi ise 30V'tur. 4.5V ve 10V drive voltajlarında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında kullanılabilir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Elektronik devrelerde anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri ve genel sinyal kontrolü gibi alanlarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 650mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok