Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VP2450N3-G
MOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VP2450N3
VP2450N3-G Hakkında
VP2450N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim ve 100mA sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 30Ω'dur (100mA, 10V). -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 740mW maksimum güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük akımda anahtarlama işlemleri için kullanılır. 10V gate-source geriliminde optimize edilmiş özellikleriyle, hassas ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok