Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VP2206N3-G-P003
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VP2206N3
VP2206N3-G-P003 Hakkında
VP2206N3-G-P003, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajına ve 640mA sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-92-3 paket tipinde sağlanan bu bileşen, düşük seviyeli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile kontrol edilebilen transistör, 900mOhm RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 740mW güç dağıtabilen bu MOSFET, elektrik panoları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 640mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok