Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VP2110K1-G
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VP2110K1
VP2110K1-G Hakkında
VP2110K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 120mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey monte paketinde sunulur. 12Ω on-resistance değeri ve 60pF input capacitance ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama devreleri, küçük sinyal anahtarlama, impedans eşleştirme ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile esnek kullanım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok