Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VP1008B

MOSFET P-CH 100V 790MA TO39

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
VP1008B

VP1008B Hakkında

VP1008B, Vishay tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile çalışır ve maksimum 790mA sürekli dren akımı sağlar. 5Ω On-resistance (Rds On) değeri ile düşük gerilim düşüşü gerçekleştirir. ±20V gate-source gerilimi aralığında ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 150pF input kapasitansi (Ciss) ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Maksimum 6.25W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Analog anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve düşük güçlü inverter devreleri gibi genel amaçlı MOSFET uygulamalarında kullanıma uygundur. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 790mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok