Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VP0808L-G

MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
VP0808L

VP0808L-G Hakkında

VP0808L-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi (Vdss) ve 280mA sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-92-3 (DIP-3) paket tipi ile Through Hole montajına uygun olan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürü geriliminde 5Ohm maksimum Rds(on) değeri ile düşük dirençli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç tüketimi maksimum 1W (Tc) olup, 150pF giriş kapasitanslı (Ciss) tasarımı hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygundur. Tüketici elektroniği, otomasyon ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 280mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok