Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VP0808B-E3

MOSFET P-CH 80V 880MA TO39

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
VP0808B

VP0808B-E3 Hakkında

VP0808B-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 880mA sürekli dren akımı kapasitesi ile, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-39 metal kaporta paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol devreleri ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate-source voltajında 5Ω maksimum on-direnci ve düşük kapasitans değerleri ile hızlı komutasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Ürün, Vishay arşivinden çıkarılmış (obsolete) olup, yeni tasarımlar için güncel alternatifler incelenmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 880mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok