Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VP0550N3-G

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
VP0550N3

VP0550N3-G Hakkında

VP0550N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 54mA sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, sinyal kontrolü ve analog anahtarlar gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 125Ohm maksimum Rds(On) değeri ile karakterize edilen VP0550N3-G, endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları ve tüketici elektronikleri tasarımlarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125Ohm @ 10mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok