Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VP0109N3-G
MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VP0109N3
VP0109N3-G Hakkında
VP0109N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 90V drain-source voltaj desteği ve 250mA sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5V ve 10V drive voltajlarında çalışabilen bu transistör, 8Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-92-3 paket tipi ile geçiş delikli montaj uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında, güç kaynağı kontrol devreleri, motor sürücüleri ve sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile düşük ila orta güç uygulamalarına uygun bir genel amaçlı MOSFET çözümü sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok