Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VP0106N3-G
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VP0106N3
VP0106N3-G Hakkında
VP0106N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, küçük güç kaynakları ve sinyal kontrolü gibi uygulamalarda yer alır. 8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, gömülü sistemler ve endüstriyel elektronik tasarımlarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok