Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VP0104N3-G

MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
VP0104N3

VP0104N3-G Hakkında

VP0104N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistörüdür. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40V drain-source gerilimi ve 250mA sürekli drain akımına sahiptir. 8Ohm maksimum on-direnç (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına toleranstır. 1W maksimum güç tüketimi ile küçük sinyal anahtarlama, analog anahtarlar, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok