Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VN2210N3-G
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VN2210N3
VN2210N3-G Hakkında
VN2210N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-92-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5V ve 10V sürülü voltajlarda optimize edilmiş bu transistör, düşük RDS(on) değeri (350mOhm @ 10V, 4A) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 740mW güç tüketimi özellikleri vardır. Kompakt through-hole montajı sayesinde endüstriyel kontrol, motor sürücü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok