Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VN2110K1-G
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VN2110K1
VN2110K1-G Hakkında
VN2110K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4Ω maksimum Rds(on) değeri (10V Vgs'de, 500mA'de) ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, sürücü devreler, küçük güç kontrol sistemleri ve genel amaçlı dijital lojik kontrol uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uyumluluk sağlar ve 360mW maksimum güç yayılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok