Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VN1206L-G
MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VN1206L
VN1206L-G Hakkında
VN1206L-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 230mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, düşük sinyal kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 6Ohm maksimum RDS(on) değeri, düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1W güç yayılımına kadir bu transistör, endüstriyel kontrol, ses amplifikatörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 125 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok