Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VN10LFTA

MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
VN10LFT

VN10LFTA Hakkında

VN10LFTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 150mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 10V gate-source geriliminde aktive edilen bu MOSFET, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlaması uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve lojik seviye kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 330mW maksimum güç tüketimi ile kompakt ve verimli tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok