Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VN10KN3-G

MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
VN10KN3

VN10KN3-G Hakkında

VN10KN3-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 310mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paket içinde sunulan bu bileşen, 5Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük sinyal seviyesi (2.5V gate eşik gerilimi) kontrol gerektiren endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı dijital mantık uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulamalar alanına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 310mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok