Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

VN0109N3-G

MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
VN0109N3

VN0109N3-G Hakkında

VN0109N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 90V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesi ile orta voltaj uygulamalarında kullanılır. 350mA sürekli drain akımı ve 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-92 paketlemesi sayesinde geleneksel devrelerle uyumludur. Anahtarlama devreleri, küçük motor kontrolü, röle sürücüsü ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında kararlı çalışma sunar. 5V ve 10V gate sürücü geriliminde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 90 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 65 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok