Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
VN0106N3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- VN0106N3
VN0106N3-G-P003 Hakkında
VN0106N3-G-P003, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 350mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı geriliminde 3Ohm maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli şaltere sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, sensör arayüzleri, LED sürücüleri ve düşük voltajlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 1W maksimum güç tüketim kapasitesi ile kompakt ve güvenilir bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 65 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok