Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

US5U30TR

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
US5U30TR

US5U30TR Hakkında

US5U30TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 390mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Izole Schottky diyot özelliği içermektedir. Surface mount TUMT5 (6-SMD, 5 Lead) paketi ile sunulmaktadır. ±12V maksimum gate gerilimi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli çalışır. 2.1nC gate charge ve 150pF input capacitance değerleriyle düşük geçiş kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve batarya koruma sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok