Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

US5U29TR

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
US5U29TR

US5U29TR Hakkında

US5U29TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 390mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Entegre Schottky diyot özelliğine sahip olan bu komponentin maksimum 1W güç tüketimi vardır. TUMT5 paketinde 6-SMD (5 bacak) flat lead konfigürasyonunda sunulur. ±12V Vgs destekler ve 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Gate charge değeri 2.1nC'dir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve genel amaçlı MOSFET ihtiyaçlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok