Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2826T1S-E2-AT
8P HWSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2826T1S
UPA2826T1S-E2-AT Hakkında
UPA2826T1S-E2-AT, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı ile güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-pin HWSON paketinde sunulan bu komponent, 4.3mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklı olup, 37nC gate charge ile hızlı anahtarlama yapabilir. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3610 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 13.5A, 8V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok