Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2825T1S-E2-AT
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2825T1
UPA2825T1S-E2-AT Hakkında
UPA2825T1S-E2-AT, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-HWSON (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 4.6mΩ maximum açık direnç (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma alanına sahiptir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir. Bileşen üretim döngüsü sona ermiş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok