Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2822T1L-E1-AT
MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2822T1L
UPA2822T1L-E1-AT Hakkında
UPA2822T1L-E1-AT, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.6mΩ On-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-HWSON (3.3x3.3mm) yüzey monte paketi içinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenli işletme yapabilir. Gate charge değeri 83nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 34A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok