Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2816T1S-E2-AT
MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2816T1S
UPA2816T1S-E2-AT Hakkında
UPA2816T1S-E2-AT, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi, 17A sürekli akım kapasitesi ve 15.5mOhm (10V, 17A) on-resistance değerleri ile tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -25V ile +20V arasında gate gerilimi toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 1.5W güç dağıtım kapasitesi mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok