Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2815T1S-E2-AT
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2815
UPA2815T1S-E2-AT Hakkında
UPA2815T1S-E2-AT, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 11mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-HWSON yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, batarya yönetimi, güç dağıtımı, solenoid kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektroniği cihazlarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1760 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok