Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2812T1L-E2-AT
MOSFET P-CH 30V 30A 8HWSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2812T1L
UPA2812T1L-E2-AT Hakkında
UPA2812T1L-E2-AT, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç (Rds(on): 4.8mΩ @ 30A, 10V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 8-HWSON (3.3x3.3) paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, pil şarj sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve motorlu cihazlarda kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 150°C işletme sıcaklığına dayanabilir. Surface mount montajı için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3740 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok