Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2810T1L-E2-AY
MOSFET P-CH 30V 13A 8DFN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2810
UPA2810T1L-E2-AY Hakkında
UPA2810T1L-E2-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 13A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, 8-VDFN SMD paketinde sunulmaktadır. 12mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 40nC ve input capacitance 1860pF parametreleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilirliğini gösterir. 1.5W maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alabilir. 150°C işletme sıcaklığı ile termal açıdan güvenli çalışma sağlanır. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve analog kontrolü gerektiren uygulamalarda tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1860 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok