Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2810T1L-E1-AY
MOSFET P-CH 30V 13A 8DFN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2810T1L
UPA2810T1L-E1-AY Hakkında
UPA2810T1L-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-VDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 12mOhm on-resistance değeri ile enerji kayıplarını minimize eder. 150°C çalışma sıcaklığında 1.5W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. DC-DC konvertörler, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate threshold voltajı 2.5V olup, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1860 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok