Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UPA2800T1L-E1-AY

MOSFET N-CH 30V 17A 8DFN

Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
UPA2800

UPA2800T1L-E1-AY Hakkında

UPA2800T1L-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında, motor kontrolü, güç dönüştürme devrelerinde ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 8-VDFN SMD paketinde sunulan bu FET, 7.3mOhm düşük on-resistance değeri ile ısıl kaybı minimize eder. Gate charge 17nC ve input capacitance 1770pF olması hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vgs(th) eşik gerilimi 2.5V @ 1mA'dir. Endüstriyel kontrol, DC-DC konvertörler ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok