Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2766T1A-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2766T1A
UPA2766T1A-E1-AY Hakkında
UPA2766T1A-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 130A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 4.5V gate geriliminde 1.82mOhm düşük açık direnç (RDS On) ile enerji verimliliği sağlar. 8-PowerVDFN (5x5.4mm) yüzey montaj paketinde sunulmakta olup, maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 83W güç dağıtabilir. Motor kontrolleri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 257 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10850 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.82mOhm @ 39A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-HVSON (5x5.4) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok