Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
UPA2739T1A-E2-AY
MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- UPA2739T1A
UPA2739T1A-E2-AY Hakkında
UPA2739T1A-E2-AY, Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 85A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 8-PowerVDFN (5x5.4) yüzey montajlı pakette sunulur. Maksimum 5.7mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 153nC ve input capacitance 6050pF karakteristikleri hızlı anahtarlama operasyonları için optimize edilmiştir. -40°C ile +150°C arasında çalışır. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve enerji verimliliği gerektiren endüstriyel uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.5W güç saçılımı kapasitesiyle termal yönetim açısından verimlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6050 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 23A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-HVSON (5x5.4) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok