Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

UPA2732UT1A-E1-AY

MOSFET P-CH 30V 40A 8DFN

Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
UPA2732UT1A

UPA2732UT1A-E1-AY Hakkında

UPA2732UT1A-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.7mΩ RDS(on) değeri düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount 8-VDFN paketinde sunulan bu bileşen, pil şarj sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, güç dağıtım modülleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında stabil çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3280 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok